Structure analysis of the Ga-stabilized<mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" display="inline"><mml:mi mathvariant="normal">GaAs</mml:mi><mml:mn /><mml:mo>(</mml:mo><mml:mn>001</mml:mn><mml:mo>)</mml:mo><mml:mo>−</mml:mo><mml:mi>c</mml:mi><mml:mo>(</mml:mo><mml:mn>8</mml:mn><mml:mn /><mml:mo>×</mml:mo><mml:mn>2</mml:mn><mml:mo>)</mml:mo></mml:math>surface at high temperatures | 研究者総覧SAMURAI - 物質・材料研究機構 (NIMS)

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Structure analysis of the Ga-stabilizedGaAs(001)−c(8×2)surface at high temperatures
(Ga安定化GaAs(001)-c(8x2)表面の高温での構造解析)

Akihiro Ohtake, Shiro Tsukamoto, Markus Pristovsek, Nobuyuki Koguchi, Masashi Ozeki.

Physical Review B 65 [23] 233311. 2002.

https://doi.org/10.1103/physrevb.65.233311

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作成時刻: 2016-05-24 11:47:41 +0900 更新時刻: 2026-09-29 08:59:03 +0900

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