HOME > 口頭発表 > 書誌詳細GaAs(111)B 上におけるMoTe2 エピタキシャル薄膜の配向性および安定性(Epitaxial orientation and stability of MoTe2 films grown on GaAs(111)B)大竹 晃浩, 楊 旭, 奈良 純. 第83回応用物理学会秋季学術講演会. 2022年09月20日-2022年09月23日.NIMS著者大竹 晃浩奈良 純Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2022-10-07 03:27:33 +0900更新時刻: 2022-10-07 03:27:33 +0900