HOME > 口頭発表 > 詳細GaAs(111)B 上におけるMoTe2 エピタキシャル薄膜の配向性および安定性(Epitaxial orientation and stability of MoTe2 films grown on GaAs(111)B)著者大竹 晃浩, 楊 旭, 奈良 純. 会議名第83回応用物理学会秋季学術講演会発表年2022言語Japanese
