HOME > 口頭発表 > 書誌詳細Mn-GaAs系二次元構造制御による 新規強磁性半導体相の創製と評価 大竹 晃浩. 早稲田大学 総合研究機構 凝縮系物質科学研究所2014年度 第1回. 2014-06-05. 招待講演NIMS著者大竹 晃浩Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2017-01-08 03:48:30 +0900 更新時刻: 2024-03-05 11:45:09 +0900
