HOME > Presentation > DetailMn-GaAs系二次元構造制御による 新規強磁性半導体相の創製と評価 大竹 晃浩. 早稲田大学 総合研究機構 凝縮系物質科学研究所2014年度 第1回. 2014. InvitedNIMS author(s)OHTAKE, AkihiroFulltext and dataset(s) on Materials Data Repository (MDR)Created at: 2017-01-08 03:48:30 +0900Updated at: 2024-03-05 11:45:09 +0900