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著者名Noriyuki Miyata, Akihiro Ohtake, Masakazu Ichikawa, Takahiro Mori, Tetsuji Yasuda.
タイトルElectrical characteristics and thermal stability of HfO2 metal-oxide-semiconductor capacitors fabricated on clean reconstructed GaSb surfaces
掲載誌名Applied Physics Letters 104 [23] 232104
ISSN: 00036951 10773118
発表年2014
言語English
ESIでのカテゴリPHYSICS
DOIhttps://doi.org/10.1063/1.4882643
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