HOME > 口頭発表 > 書誌詳細InGaAs表面の亜セレン酸溶液処理によるMISFET特性改善(Wet treatment of InGaAs surfaces by selenite adsorption for improved MISFET performances)卜部友二, 安田哲二, 宮田典幸, 前田辰郎, 大竹 晃浩, 市川麿, 福原昇, 秦雅彦, 横山正史, 田岡紀之, 竹中充, 高木信一. 2011年秋季 第72回 応用物理学会学術講演会. 2011年08月29日-2011年09月02日.NIMS著者大竹 晃浩Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2017-01-08 04:32:20 +0900 更新時刻: 2017-07-10 21:06:50 +0900