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patent	2023077758	赤外線検出素子、その製造方法、および赤外線検出装置	2023	2024-04-26 22:13:05 +0900
patent	2015061025	表面の平坦性および結晶構造の完全性に優れたＧａＳｂ／ＩｎＡｓ／Ｓｉ（１１１）構造とその形成方法、並びにその構造を用いたＭＯＳデバイスおよび赤外線検出デバイス	2015	2024-04-26 22:13:05 +0900
patent	2015162602, 2015162605	デバイス作製用基板、その製造方法及び近赤外線発光デバイス	2015	2024-04-26 22:13:05 +0900
patent	201030968, TW201030968	半導体装置、半導体装置の製造方法、半導体基板、および半導体基板の製造方法	2010	2024-04-26 22:13:05 +0900