HOME > 口頭発表 > 書誌詳細InAs/Si(111)ヘテロエピタキシーにおける極性制御(Polarity control in InAs/Si(111) heteroepitaxy)大竹 晃浩, 三石 和貴. 2009年度秋季第70回応用物理学会学術講演会. 2009年09月08日-2009年09月11日.NIMS著者大竹 晃浩三石 和貴Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2017-01-08 03:55:38 +0900 更新時刻: 2017-07-10 20:32:31 +0900