HOME > Presentation > DetailInAs/Si(111)ヘテロエピタキシーにおける極性制御(Polarity control in InAs/Si(111) heteroepitaxy)大竹 晃浩, 三石 和貴. 2009年度秋季第70回応用物理学会学術講演会. 2009.NIMS author(s)OHTAKE, AkihiroMITSUISHI, KazutakaFulltext and dataset(s) on Materials Data Repository (MDR)Created at: 2017-01-08 03:55:38 +0900Updated at: 2017-07-10 20:32:31 +0900