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[Published patent application] 窒化インジウム（ＩｎＮ）あるいは高インジウム組成を有する窒化インジウムガリウム（ＩｎＧａＮ）エピタキシャル薄膜の形成方法
NIMS author(s)
Created at :2023-07-22 21:45:13 +0900 Updated at :2023-07-22 21:45:13 +0900
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