HOME > 口頭発表 > 書誌詳細MOCVD成長によるウエハスケールMoS2 FETの特性評価(Device performance of wafer-scale MoS2 FET grown by MOCVD)渥美 圭脩, 李 曙紅, 西村 知紀, 金橋 魁利, 佐久間 芳樹, 長汐 晃輔. 第71回応用物理学会春季学術講演会. 2024年03月22日-2024年03月25日.NIMS著者佐久間 芳樹Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2024-04-16 03:13:23 +0900 更新時刻: 2024-04-16 03:13:23 +0900