InGaAs Quantum Wires on {111}B-Faceted V-Grooves of InP formed by In-Situ Gas Etching and MOCVD Regrowth
(ガスエッチングとMOCVD再成長を用いてInP上{111}BファセットV溝に形成したInGaAs量子細線)
NIMS著者
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作成時刻: 2017-02-27 00:09:51 +0900 更新時刻: 2017-03-17 02:13:50 +0900