HOME > 口頭発表 > 書誌詳細MOCVD法によるウエハスケール単層MoS2の高配向エピタキシャル成長(Highly-aligned epitaxial growth of wafer-scale monolayer MoS2 by MOCVD)佐久間 芳樹, 楊 旭, 小野 佑樹, 李 世勝, 廣戸 孝信, 奈良 純, 池沢 道男, 松本 貴士. 第84回応用物理学会秋季学術講演会. 2023.NIMS著者佐久間 芳樹李 世勝廣戸 孝信奈良 純Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2023-09-27 03:21:27 +0900更新時刻: 2023-09-27 03:21:27 +0900