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MOCVD法によるウエハスケール単層MoS2の高配向エピタキシャル成長
(Highly-aligned epitaxial growth of wafer-scale monolayer MoS2 by MOCVD)

佐久間 芳樹, 楊 旭, 小野 佑樹, 李 世勝, 廣戸 孝信, 奈良 純, 池沢 道男, 松本 貴士.
第84回応用物理学会秋季学術講演会. 2023年09月19日-2023年09月23日.

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    作成時刻: 2023-09-27 03:21:27 +0900更新時刻: 2023-09-27 03:21:27 +0900

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