HOME > Presentation > DetailMOCVD法によるウエハスケール単層MoS2の高配向エピタキシャル成長(Highly-aligned epitaxial growth of wafer-scale monolayer MoS2 by MOCVD)佐久間 芳樹, 楊 旭, 小野 佑樹, 李 世勝, 廣戸 孝信, 奈良 純, 池沢 道男, 松本 貴士. 第84回応用物理学会秋季学術講演会. September 19, 2023-September 23, 2023.NIMS author(s)SAKUMA, YoshikiHIROTO, TakanobuNARA, JunFulltext and dataset(s) on Materials Data Repository (MDR)Created at: 2023-09-27 03:21:27 +0900 Updated at: 2023-09-27 03:21:27 +0900