HOME > 口頭発表 > 書誌詳細Droplet epitaxial growth of highly symmetric InAs quantum dots on InAlGaAs/InP(111)A emitting at telecom 1.55 micron-m wavelengthハ ヌル, 間野 高明, 佐久間 芳樹, 迫田 和彰, 黒田 隆. The 9th Int Conf on Quantum Dots (QD2016). 2016.NIMS著者間野 高明佐久間 芳樹迫田 和彰黒田 隆Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻 :2017-02-14 11:44:58 +0900 更新時刻 :2017-07-10 22:29:35 +0900