Recombination dynamics of excitons bound to nitrogen isoelectronic centers in<mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML"><mml:mi>δ</mml:mi></mml:math>-doped GaP | 研究者総覧SAMURAI - 物質・材料研究機構 (NIMS)

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Recombination dynamics of excitons bound to nitrogen isoelectronic centers inδ-doped GaP
(Recombination dynamics of excitons bound to nitrogen isoelectronic centers inδ-doped GaP)

P. St-Jean, G. Éthier-Majcher, Y. Sakuma, S. Francoeur.

Physical Review B 89 [7] 075308. 2014.

https://doi.org/10.1103/physrevb.89.075308

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作成時刻: 2016-05-24 17:25:13 +0900 更新時刻: 2026-09-29 07:06:14 +0900

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