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著者名X. L. Yuan, T. Sekiguchi, J. Niitsuma, Y. Sakuma, S. Ito, S. G. Ri.
タイトルInhomogeneous distribution of dislocations in a SiGe graded layer and its influence on surface morphology and misfit dislocations at the interface of strained Si∕Si0.8Ge0.2
掲載誌名Applied Physics Letters 86 16 162102
ISSN: 00036951 10773118
発表年2005
言語English
DOI10.1063/1.1905802
ESIでのカテゴリPHYSICS
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