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patent	2023077758	赤外線検出素子、その製造方法、および赤外線検出装置	2023	2024-04-25 08:55:01 +0900
patent	2022037889	遷移金属カルコゲナイド層状膜の形成方法およびそのための装置	2022	2024-04-25 08:55:01 +0900
patent	2022037504	酸化モリブデンの成膜方法およびそのための装置	2022	2024-04-25 08:55:01 +0900
patent	2019153672	半導体装置、半導体装置の製造方法、赤外線光電変換素子、赤外線検出素子、および赤外線発光素子	2019	2024-04-25 08:55:01 +0900
patent	WO2008018613, EP2051286	半導体製造装置	2009	2024-04-25 08:55:01 +0900
patent	2009054814	電子素子	2009	2024-04-25 08:55:01 +0900
patent	2008042002	半導体製造装置	2008	2024-04-25 08:55:01 +0900
patent	2008053589	窒化インジウム（ＩｎＮ）あるいは高インジウム組成を有する窒化インジウムガリウム（ＩｎＧａＮ）エピタキシャル薄膜の形成方法	2008	2024-04-25 08:55:01 +0900