HOME > 口頭発表 > 書誌詳細水素終端Si表面におけるGe吸着原子の挙動(Ge adatom behavior on H/Si(001))奈良 純, 大野 隆央. 第13回格子欠陥フォーラム. 2003年09月23日-2003年09月25日. 招待講演NIMS著者奈良 純Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2017-02-18 03:44:03 +0900 更新時刻: 2024-03-05 11:39:56 +0900
