HOME > Presentation > Detail第一原理計算によるSiC中の螺旋転位構造と電子状態の解明(Structures and Electronic States of SiC Screw-Dislocations by First-Principles Calculations)山崎隆浩, 奈良 純, 甲賀淳一朗, 宇田毅, 黒田明義, 南一生, 大野 隆央. 第21回シリコンカーバイド(SiC)及び関連ワイドギャップ半導体研究会. November 19, 2012-November 20, 2012.NIMS author(s)NARA, JunFulltext and dataset(s) on Materials Data Repository (MDR)Created at: 2017-01-08 04:51:24 +0900 Updated at: 2018-06-05 13:15:16 +0900