第一原理計算によるSiC中の螺旋転位構造と電子状態の解明
(Structures and Electronic States of SiC Screw-Dislocations by First-Principles Calculations)
第21回シリコンカーバイド(SiC)及び関連ワイドギャップ半導体研究会. 2012.
NIMS著者
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作成時刻: 2017-01-08 04:51:24 +0900更新時刻: 2018-06-05 13:15:16 +0900