HOME > 口頭発表 > 書誌詳細シリコンカーバイドの熱酸化に関する理論的研究:SiO2/SiC界面の化学種について( A theoretical study on the thermal oxidation of silicon carbide: Chemical species at the SiO2/SiC interface)田島 暢夫, 山崎 隆浩, 金子 智昭, 奈良 純, 清水達雄, 加藤弘一, 大野 隆央. American Physical Society March Meeting. 2016.NIMS著者奈良 純大野 隆央Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻 :2017-01-08 03:23:16 +0900 更新時刻 :2017-07-10 22:18:48 +0900