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研究内容
出版物原則として、2004年以降のNIMS所属における研究成果や出版物を表示しています。
論文
- Yoshiyuki Yamashita, Jun Nara, Efi Dwi Indari, Takahiro Yamasaki, Takahisa Ohno, Ryu Hasunuma. Experimental and theoretical studies on atomic structures of the interface states at SiO2/4H-SiC(0001) interface. Journal of Applied Physics. 131 [21] (2022) 215303 10.1063/5.0093267
- Takahiro Yamasaki, Akiyoshi Kuroda, Toshihiro Kato, Jun Nara, Junichiro Koga, Tsuyoshi Uda, Kazuo Minami, Takahisa Ohno. Multi-axis decomposition of density functional program for strong scaling up to 82,944 nodes on the K computer: Compactly folded 3D-FFT communicators in the 6D torus network. Computer Physics Communications. 244 (2019) 264-276 10.1016/j.cpc.2019.04.008
- Nobuo Tajima, Jun Nara, Takahiro Yamasaki, Taku Ozawa, Hiroya Nitta, Kosuke Ohata, Takahisa Ohno. Interface of Hydrated Perfluorosulfonic Acid Electrolyte and Platinum Catalyst: Construction of a Dissipative Particle Dynamics Simulation Model. Journal of The Electrochemical Society. 166 [9] (2019) B3156-B3162 10.1149/2.0201909jes
会議録
- TAJIMA, Nobuo, KANEKO, Tomoaki, YAMASAKI, Takahiro, NARA, Jun, Tatsuo Schimizu, Koichi Kato. A first principles study on the C=C defects near SiC/SiO2 interface: Defect passivation by double bond saturation. Proceedings of Solid State Device Material. (2017) 1077-1078
- Takahiro Yamasaki, Nobuo Tajima, Tomoaki Kaneko, Nobutaka Nishikawa, Jun Nara, Tatsuo Schimizu, Koichi Kato, Takahisa Ohno. 4H-SiC Surface Structures and Oxidation Mechanism Revealed by Using First-Principles and Classical Molecular Dynamics Simulations. MATERIALS SCIENCE FORUM. (2016) 429-432 10.4028/www.scientific.net/msf.858.429
- 森山拓洋, 山崎 隆浩, 大野 隆央, 岸田悟, 木下健太郎. 抵抗変化メモリ(ReRAM)における導電性パス生成機構の検討 〜第一原理分子動力学法を用いたNiOの様々な面方位の表面状態解析〜. 電子情報通信学会技術研究報告 IEICE Technical Report . (2014) 135-138
口頭発表
- YAMASAKI, Takahiro. 4H-SiC Surface Structures and Oxidation Mechanism Revealed by Using First-Principles and Classical Molecular Dynamics Simulations. ICSCRM-2015. 2015
- 森田 巧, 高 相圭, 田中 喜典, 山崎 隆浩, 奈良 純, 大野 隆央, 木下健太郎, 木下健太郎. 金属有機構造体(MOF)へのゲスト分子ドーピングに関する理論的研究. 第80回応用物理学会秋季学術講演会. 2019
- 肥田 聡太, 大野 隆央, 森田 巧, 酒井 貴弘, 山崎 隆浩, 木下健太郎, 奈良 純, 木下健太郎. 多結晶NiO薄膜における溶媒供給効果の理論的検討. 第66回応用物理学会春季学術講演会. 2019
その他の文献
- 森山拓洋, 山崎 隆浩, 大野 隆央, 岸田悟, 木下健太郎. 抵抗変化メモリ(ReRAM)における導電性パス生成機構の検討 〜第一原理分子動力学法を用いたNiOの様々な面方位の表面状態解析〜. 電子情報通信学会技術研究報告 IEICE Technical Report . (2014) 135-138
特許
- 特許第6667809号 半導体装置、インバータ回路、駆動装置、車両、及び、昇降機 (2020)
- 特許第7072148号 半導体装置、半導体装置の製造方法、インバータ回路、駆動装置、車両、及び、昇降機 (2022)
- 特許第7005847号 半導体装置、半導体装置の製造方法、インバータ回路、駆動装置、車両、及び、昇降機 (2022)
- 特開2017216305号 半導体装置、インバータ回路、駆動装置、車両、及び、昇降機 (2017)
- 特開2020047665号 半導体装置、半導体装置の製造方法、インバータ回路、駆動装置、車両、及び、昇降機 (2020)
- 特開2020047666号 半導体装置、半導体装置の製造方法、インバータ回路、駆動装置、車両、及び、昇降機 (2020)