HOME > 口頭発表 > 書誌詳細第一原理計算による3C-SiC(1-10)及び4H-SiC(11-20)表面の電子状態について(First-principles study of the 3C-SiC(1-10) and 4H-SiC(11-20) surface electronic states)小山 洋, 奈良 純, 大野 隆央. ICSCRM 2013. 2013.NIMS著者奈良 純大野 隆央Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻 :2017-01-08 03:58:47 +0900 更新時刻 :2017-07-10 21:41:48 +0900