第一原理計算による3C-SiC(1-10)及び4H-SiC(11-20)表面の電子状態について
(First-principles study of the 3C-SiC(1-10) and 4H-SiC(11-20) surface electronic states)
ICSCRM 2013. 2013年09月29日-2013年10月04日.
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作成時刻: 2017-01-08 03:58:47 +0900 更新時刻: 2017-07-10 21:41:48 +0900