HOME > 口頭発表 > 書誌詳細4H-SiC/SiO2界面O2酸化の第一原理シミュレーション 〜炭素クラスターの形成と拡散〜(First-Principles Molecular Dynamics Simulations of O2 Oxidation in 4H-SiC/SiO2 ~ Formation and Diffusion of C Clusters ~)山崎 隆浩, 田島 暢夫, 金子 智昭, 奈良 純, 清水達雄, 加藤 弘一, 金田千穂子, 大野 隆央, 加藤 弘一. 第65回応用物理学会春季学術講演会. 2018.NIMS著者奈良 純Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2018-01-20 22:21:15 +0900更新時刻: 2018-06-05 14:17:36 +0900