A first principles study on the C=C defects near SiC/SiO2 interface: Defect passivation by double bond saturation
(SiC/SiO2界面のC=C欠陥に関する第一原理的研究: 二重結合の飽和による欠陥不活性化)
| 著者 | TAJIMA, Nobuo, KANEKO, Tomoaki, YAMASAKI, Takahiro, NARA, Jun, Tatsuo Schimizu, Koichi Kato. |
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| 発表誌名 | Proceedings of Solid State Device Material |
| 発表年 | 2017 |
| 言語 | English |