HOME > 会議録 > 書誌詳細A first principles study on the C=C defects near SiC/SiO2 interface: Defect passivation by double bond saturation(SiC/SiO2界面のC=C欠陥に関する第一原理的研究: 二重結合の飽和による欠陥不活性化)TAJIMA, Nobuo, KANEKO, Tomoaki, YAMASAKI, Takahiro, NARA, Jun, Tatsuo Schimizu, Koichi Kato. Proceedings of Solid State Device Material 1077-1078. 2017.NIMS著者奈良 純Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2017-12-12 22:06:49 +0900更新時刻: 2018-06-05 14:12:26 +0900