HOME > 論文 > 書誌詳細水素終端Si表面におけるGe成長の理論(Theoretical Investigation of Ge Growth on H-terminated Si surface)奈良 純, 大野 隆央. 表面科学 23 [2] 81-87. 2002.NIMS著者奈良 純Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2016-05-24 11:47:27 +0900更新時刻: 2018-12-14 22:04:13 +0900