SAMURAI - NIMS Researchers Database

HOME > 口頭発表 > 書誌詳細

4H-SiC(0001)/SiO2 界面欠陥準位の第一原理解析:欠陥構造の重要性
(First-principles analysis on defect levels of 4H-SiC(0001)/SiO2 interface: Importance of defect structures)

先進パワー半導体分科会 第2回講演会. 2015年11月09日-2015年11月10日.

NIMS著者


Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット


    作成時刻: 2017-02-14 11:11:04 +0900更新時刻: 2017-07-10 22:19:11 +0900

    ▲ページトップへ移動