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著者名金子 智昭, 山崎 隆浩, 田島 暢夫, 奈良 純, 清水達雄, 加藤弘一, 大野 隆央.
タイトル4H-SiC(0001)/SiO2 界面欠陥準位の第一原理解析:欠陥構造の重要性
(First-principles analysis on defect levels of 4H-SiC(0001)/SiO2 interface: Importance of defect structures)
会議名先進パワー半導体分科会 第2回講演会
発表年2015
言語Japanese
外部での文献参照

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