HOME > 口頭発表 > 書誌詳細酸素分子による4H-SiC/SiO2界面酸化の第一原理動的シミュレーション(First-Principles Dynamical Simulations for O2 Oxidation at 4H-SiC/SiO2 Interfaces)山崎 隆浩, 田島 暢夫, 金子 智昭, 奈良 純, 清水達雄, 加藤弘一, 大野 隆央. 先進パワー半導体分科会第2回講演会. 2015.NIMS著者奈良 純Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2017-01-08 05:51:24 +0900更新時刻: 2017-07-10 22:18:47 +0900