HOME > 口頭発表 > 書誌詳細[11-20]方向のステップを持つSiC(0001)表面の初期グラフェン成長の第一原理分子動力学法による解明(Initial Process of Graphene Growth on [11-20] Stepped 4H-SiC(0001) Surface Revealed by First-Principles Molecular Dynamics Simulation)山崎 隆浩, 小野祐己, 奈良 純, 大野 隆央. International Symposium on Epitaxial Graphene 2017 (ISEG-2017). 2017.NIMS著者奈良 純Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2017-08-08 23:14:58 +0900更新時刻: 2018-06-05 14:11:33 +0900