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著者名山崎 隆浩, 田島 暢夫, 金子 智昭, 奈良 純, 清水達雄, 加藤弘一, 大野 隆央.
タイトル4H-SiC/SiO2界面O2酸化の第一原理シミュレーション 〜界面における炭素関連欠陥の電子状態〜
(First-Principles Molecular Dynamics Simulations of O2 Oxidation in 4H-SiC/SiO2 ~Electronic Structures of C-related Defects at the Interface Region ~)
会議名第64回応用物理学会春季学術講演会
発表年2017
言語Japanese
外部での文献参照

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