HOME > 口頭発表 > 書誌詳細4H-SiC(0001)面の酸化過程の動的シミュレーション:Si面とC面(Molecular dynamics simulations for oxidation processes of 4H-SiC(0001): Si and C surfaces)小山 洋, 山崎 隆浩, 奈良 純, 清水 達雄, 大野 隆央. 第19回ゲートスタック研究会. 2014.NIMS著者奈良 純Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2017-01-08 05:32:55 +0900更新時刻: 2017-07-10 21:46:59 +0900