第一原理分子動力学を用いた傾斜SiC(0001)表面上グラフェンの成長過程解析
(First-Principles Molecular Dynamics Simulations for Graphene Growth Process on Stepped SiC(0001) Surface )
CCP2012. 2012.
NIMS著者
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作成時刻: 2017-01-08 03:22:53 +0900更新時刻: 2017-07-10 21:29:18 +0900