HOME > 口頭発表 > 書誌詳細3C-SiC(1-10)及び 4H-SiC(11-20)表面における電子状態とその安定性 (3C-SiC(1-10) and 4H-SiC(11-20) surface electronic states and their stability)小山 洋, 奈良 純, 大野 隆央. 日本応用物理学会秋期学術講演会. 2013.NIMS著者奈良 純大野 隆央Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻 :2017-02-14 10:59:19 +0900 更新時刻 :2017-07-10 21:41:42 +0900