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著者名金子 智昭, 山崎 隆浩, 田島 暢夫, 奈良 純, 清水達雄, 加藤弘一, 大野 隆央.
タイトル4H-SiC(0001)/SiO2 界面での欠陥準位の分布の第一原理解析
(First-pricnples analysis on defect level distribution at 4H-SiC(0001)/SiO2)
会議名応用物理学会春季学術講演会
発表年2016
言語Japanese
外部での文献参照

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