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著者名奈良 純, 小山 洋, 大野 隆央.
タイトル4H-SiC及び3C-SiCの表面構造と電子状態に関する理論的研究
(Theoretical study on structural stability and electronic states of 4H- and 3C-SiC surfaces)
会議名第21回シリコンカーバイド(SiC)及び関連ワイドギャップ半導体研究会
発表年2012
言語Japanese
外部での文献参照

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