HOME > Presentation > Detail
4H-SiC及び3C-SiCの表面構造と電子状態に関する理論的研究
(Theoretical study on structural stability and electronic states of 4H- and 3C-SiC surfaces)
第21回シリコンカーバイド(SiC)及び関連ワイドギャップ半導体研究会. 2012.
NIMS author(s)
Fulltext and dataset(s) on Materials Data Repository (MDR)
Created at: 2017-01-08 05:45:00 +0900Updated at: 2017-07-10 21:29:12 +0900