シリコンカーバイド3C及び４H表面の電子状態と安定性
(Structural stability and electronic states of the 3C- and 4H-SiC surfaces)
Conference on Computational Physics (CCP2012). 2012年10月15日-2012年10月18日.
NIMS著者
Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット
作成時刻: 2017-02-14 11:00:20 +0900 更新時刻: 2017-07-10 21:29:11 +0900