HOME > 口頭発表 > 書誌詳細シリコンカーバイド3C及び4H表面の電子状態と安定性(Structural stability and electronic states of the 3C- and 4H-SiC surfaces)小山 洋, 奈良 純, 大野 隆央. Conference on Computational Physics (CCP2012). 2012.NIMS著者奈良 純Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2017-02-14 11:00:20 +0900更新時刻: 2017-07-10 21:29:11 +0900