HOME > 口頭発表 > 書誌詳細多結晶HfO2における抵抗スイッチング現象の機構解析 -第一原理計算によるアプローチ-(Analysis of resistive switching mechanism in polycrystalline HfO2 by using first-principles calculation)肥田聡太, 山崎 隆浩, 奈良 純, 大野 隆央, 岸田悟, 木下健太郎. 第65回応用物理学会春季学術講演会. 2018.NIMS著者奈良 純Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2018-01-18 22:01:49 +0900更新時刻: 2018-06-05 14:17:27 +0900