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著者名Nobuo Tajima, Tomoaki Kaneko, Takahiro Yamasaki, Jun Nara, Tatsuo Schimizu, Koichi Kato, Takahisa Ohno.
タイトルFirst-principles study on C=C defects near SiC/SiO2 interface: Defect passivation by double-bond saturation
掲載誌名Japanese Journal of Applied Physics 57 4S 04FR09
ISSN: 00214922 13474065
発表年2018
言語English
DOI10.7567/jjap.57.04fr09
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