第一原理シミュレーションに基づいたSiC表面上のSi熱脱離グラフェン成長機構
(Graphene Growth Mechanism by Si Sublimation on SiC Surface Unveiled Through First-Principles Simulations)
応用物理学会秋季学術講演会. 2015年09月13日-2015年09月16日.
NIMS著者
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作成時刻: 2017-02-14 11:21:53 +0900 更新時刻: 2018-06-05 13:53:14 +0900