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著者名山崎 隆浩, 小野祐己, 奈良 純, 大野 隆央.
タイトル第一原理シミュレーションに基づいたSiC表面上のSi熱脱離グラフェン成長機構
(Graphene Growth Mechanism by Si Sublimation on SiC Surface Unveiled Through First-Principles Simulations)
会議名応用物理学会秋季学術講演会
発表年2015
言語Japanese
外部での文献参照

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