HOME > 口頭発表 > 書誌詳細第一原理シミュレーションに基づいたSiC表面上のSi熱脱離グラフェン成長機構(Graphene Growth Mechanism by Si Sublimation on SiC Surface Unveiled Through First-Principles Simulations)山崎 隆浩, 小野祐己, 奈良 純, 大野 隆央. 応用物理学会秋季学術講演会. 2015.NIMS著者奈良 純大野 隆央Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻 :2017-02-14 11:21:53 +0900 更新時刻 :2018-06-05 13:53:14 +0900