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第一原理シミュレーションに基づいたSiC表面上のSi熱脱離グラフェン成長機構
(Graphene Growth Mechanism by Si Sublimation on SiC Surface Unveiled Through First-Principles Simulations)

応用物理学会秋季学術講演会. 2015.

NIMS著者


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    作成時刻 :2017-02-14 11:21:53 +0900 更新時刻 :2018-06-05 13:53:14 +0900

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