HOME > 口頭発表 > 書誌詳細SiC表面上のSi熱脱離グラフェン成長機構に関するナノ秒オーダーの長時間分子動力学解析(Nano-second Order Molecular Dynamics Simulations for Graphene Growth Mechanism on SiC Surface)今泉俊介, 高本聡, 山崎 隆浩, 奈良 純, 大野 隆央, 泉聡志. 応用物理学会秋季学術講演会. 2016.NIMS著者奈良 純大野 隆央Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻 :2017-01-08 03:16:28 +0900 更新時刻 :2017-07-10 22:26:45 +0900