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著者名山崎 隆浩, 田島 暢夫, 金子 智昭, 奈良 純, 清水達雄, 加藤弘一, 大野 隆央.
タイトル4H-SiC/SiO2 界面O2 酸化の第一原理シミュレーション 〜SiC(0001)Si 面と(000-1)C 面の違い〜
(First-Principles Molecular Dynamics Simulations of O2 Oxidation in 4H-SiC/SiO2 ~Differences between SiC(0001)Si and (000-1)C faces~)
会議名応用物理学会秋季学術講演会
発表年2016
言語Japanese
外部での文献参照

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