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著者名井村 将隆, 津田 俊輔, 長田 貴弘, 山下 良之, 吉川 英樹, 小林 啓介, 小出 康夫, 太田優一, 村田秀信, 山口智広, 金子昌充, 荒木努, 名西やすし.
タイトルInGaNの表面-バルク電子状態評価
(Surface and Bulk Electronic Structures of InGaN)
会議名第80回応用物理学会秋季学術講演会
発表年2019
言語Japanese
外部での文献参照

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