HOME > 口頭発表 > 書誌詳細InGaNの表面-バルク電子状態評価(Surface and Bulk Electronic Structures of InGaN)井村 将隆, 津田 俊輔, 長田 貴弘, 山下 良之, 吉川 英樹, 小出 康夫, 小林 啓介, 太田優一, 村田秀信, 山口智広, 金子昌充, 荒木努, 名西やすし. 第80回応用物理学会秋季学術講演会. 2019年09月18日-2019年09月21日.NIMS著者井村 将隆津田 俊輔長田 貴弘山下 良之吉川 英樹小出 康夫Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2019-09-28 23:56:10 +0900更新時刻: 2019-09-28 23:56:10 +0900