HOME > 口頭発表 > 書誌詳細オペランド光電子分光法によるSiO2/SiC界面準位のエネルギー分布観測(Interface states at SiO2/SiC interface obtained from operando photoelectron spectroscopy)山下 良之, 蓮沼 隆, 長田 貴弘, 知京 豊裕. 第36回表面科学学術講演会・第57回真空に関する連合講演会 . 2016.NIMS著者山下 良之長田 貴弘知京 豊裕Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻 :2017-01-08 03:31:37 +0900 更新時刻 :2017-07-10 22:32:56 +0900