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オペランド光電子分光法によるSiO2/SiC界面準位のエネルギー分布観測
(Interface states at SiO2/SiC interface obtained from operando photoelectron spectroscopy)
第36回表面科学学術講演会・第57回真空に関する連合講演会 . 2016.
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Created at: 2017-01-08 03:31:37 +0900Updated at: 2017-07-10 22:32:56 +0900