Origin of Fatigue Properties Induced by Oxygen Vacancies Originating from Ferroelectric-HfxZr1−xO2/TiN Interface Reaction During Field Cycling
2023 International Workshop on Dielectric Thin Films For Future Electron Devices. 2023年10月23日-2023年10月25日.
NIMS著者
Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット
作成時刻: 2023-10-31 03:14:38 +0900更新時刻: 2023-10-31 03:14:38 +0900