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著者名T. Nagata, M. Haemori, Y. Yamashita, H. Yoshikawa, Y. Iwashita, K. Kobayashi, T. Chikyow.
タイトルBias application hard x-ray photoelectron spectroscopy study of forming process of Cu/HfO2/Pt resistive random access memory structure
掲載誌名Applied Physics Letters 99 [22] 223517
ISSN: 00036951 0168583X 10773118
発表年2011
言語English
ESIでのカテゴリPHYSICS
DOIhttps://doi.org/10.1063/1.3664781
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