バイアス印加硬X線光電子分光法によるゲートスタック構造内 のポテンシャル分布の直接観測
(Bias-dependence Potential Distribution in Gate Stack Structures by Hard-X-ray Photoelectron Spectroscopy under Device Operation)
NIMS著者
Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット
作成時刻: 2016-05-24 17:24:13 +0900 更新時刻: 2026-09-30 04:31:13 +0900