バイアス印加硬X線光電子分光法によるゲートスタック構造内 のポテンシャル分布の直接観測
(Bias-dependence Potential Distribution in Gate Stack Structures by Hard-X-ray Photoelectron Spectroscopy under Device Operation)
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Created at: 2016-05-24 17:24:13 +0900Updated at: 2024-04-01 17:47:15 +0900