HOME > 口頭発表 > 書誌詳細硬X線光電子分光法を用いたMgドープInNの表面およびバルク電子状態評価(Surface and Bulk Electronic Structure of Mg-doped InN Analyzed by Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy )井村 将隆, 津田 俊輔, 長田 貴弘, 小出 康夫, ヤン アンリ, 山下 良之, 吉川 英樹, 小林 啓介, 金子昌充, 金子昌充, 山口智広, 上松 尚, 荒木努, 名西やすし. 第31回電子材料シンポジウム. 2012.NIMS著者井村 将隆津田 俊輔長田 貴弘小出 康夫山下 良之吉川 英樹Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2017-01-08 04:01:50 +0900更新時刻: 2017-07-10 21:22:57 +0900